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可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910057026.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-04-07
  • 申请人:
    山东璨圆光电科技有限公司
著录项信息
专利名称可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法
申请号CN200910057026.9申请日期2009-04-07
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-10-13公开/公告号CN101859816A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人山东璨圆光电科技有限公司申请人地址
福建省厦门火炬高新区(翔安)产业区翔星路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶宇光电(厦门)有限公司当前权利人晶宇光电(厦门)有限公司
发明人黄国钦;潘锡明;杨志伟;简奉任
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人陈平
摘要
本发明公开了一种可消除突波与静电的覆晶式发光二极管及其制造方法,其一覆晶式发光二极管封装结构包含有一第一基板、一第一导电组件、一第二导电组件、一抗突波保护层与一发光二极管芯片;制造方法中,首先形成第一基板,接着形成第一导电组件与第二导电组件于第一基板上,然后形成抗突波保护层于第一基板上,且覆盖部分的第一导电组件与第二导电组件,最后利用第一导电组件与第二导电组件接合发光二极管芯片。当发光二极管芯片的偏压电压超过门坎电压时,将让第一导电组件、抗突波保护层与第二导电组件产生电流旁路,以消除突波与静电。

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