半导体激光器元件

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专利名称	半导体激光器元件
申请号	CN98802237.0	申请日期	1998-01-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2000-03-08	公开/公告号	CN1246967
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西门子公司	申请人地址	联邦德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西门子公司	当前权利人	西门子公司
发明人	G·朗德维尔;M·凯姆;G·洛伊舍尔;T·利茨;T·巴隆;F·菲舍尔;H·J·卢高尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;张志醒

摘要

半导体激光器元件,该元件具有适于产生电磁辐射的、SCH构造的半导体本体,在该本体中,在第一导电类型的第一外覆盖层和第一导电类型的第二外覆盖层之间设置一量子阱结构的有源层序列。在有源层序列和第二外覆盖层之间设置一个第二导电类型的第一简并过渡层和一个第一导电类型的第二简并过渡层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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