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断线修复方法、用其制造有源矩阵基片的方法和显示装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610080331.6
  • IPC分类号:G02F1/13;G02F1/136;H05B33/00
  • 申请日期:
    2006-05-15
  • 申请人:
    NEC液晶技术株式会社
著录项信息
专利名称断线修复方法、用其制造有源矩阵基片的方法和显示装置
申请号CN200610080331.6申请日期2006-05-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-11-15公开/公告号CN1862320
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/13IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;H;0;5;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人NEC液晶技术株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人NEC液晶技术株式会社当前权利人NEC液晶技术株式会社
发明人大石三真
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人杨林森;谷惠敏
摘要
在制造用于液晶显示装置和有机电致发光显示装置的有源矩阵基片时,通过激光CVD方法修复布线断线的部分。通过激光CVD方法,在布线断线的部分中选择性地形成导电膜。在这之后,至少在导电膜的周围区域上照射激光,并因而残留在导电膜周围区域中的导电微粒被从那里去除。结果,能够防止泄漏电流和寄生电容在断线已被修复的部分和另一个布线之间发生。

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