一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210132725.7
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/18
申请日期：
2012-05-02
申请人：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

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专利名称	一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法
申请号	CN201210132725.7	申请日期	2012-05-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-22	公开/公告号	CN102646728A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区鹿山路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司	当前权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司
发明人	刘宝信;沈坚;王栩生;章灵军
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋;陆金星

摘要

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构，电池片的背面设有第一电极、第二电极和背电场；所述第一电极和第二电极的极性相反，所述第一电极和背电场的极性相同；所述第二电极并列设置，形成至少2列第二电极列；在各个第二电极列所在区域的表面覆盖设有长条形的绝缘胶膜层，绝缘胶膜层的数量与第二电极列的列数相同，且该绝缘胶膜层的至少一端沿其长度方向延伸至电池片的端部；所述绝缘胶膜层上相对于各第二电极的位置开设有电极窗口。本发明通过在背接触硅太阳能电池片的电极处设置绝缘胶膜层的方式，实现了正负电极的绝缘，本发明的背面电极结构可以很好满足绝缘要求，方便了电池片之间的连接，大大提高了背接触电池组件制作的生产效率。

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