确定混合气中各气体浓度的方法和测量导热率的传感器

1、通过测量由两种以上的N种气体组成的混合气导热率来确定这种混合气中各种气体浓度的方法，其特征为：至少在(N-1)种气体温度下测量混合气的导热率；根据所获得的导热率测量值，用现有的数学方法求解非线性方程组，以算得各种气体的浓度。
2、按照权利要求1所述之用于辨认在一种由N种已知气体成分组成的混合气中存在的未知气体成分的方法，其特征为：至少在N种气体温度下测量混合气导热率;根据所获得的导热率测量值，用现有的数学方式求解非线性方程组，可以确定所存在的未知气体成分。
3、按照权利要求1或2所述之方法，其特征为：只用一个导热率传感器来测量在不同气体温度下的导热率，在这种传感器中，每一种气体温度可在小于1秒钟的时间内循环调整。
4、用来测量混合气导热率，特别是用于实施按照权利要求1、2或权利要求3所述方法的传感器，其特征为：传感器具有以下结构特点：
-在一块用硅制成的几百微米厚底板（1）上敷有一层绝缘层（3），在绝缘层上面通过蒸发或喷镀敷上直角折线形的薄膜电阻（5a、5b），
-在薄膜电阻（5a、5b）所在区，绝缘层（3）的下部被腐蚀，从而在底板（1）上形成了一个穴（7a），它构成了传感器测量室的下面部分，
-在带有薄膜电阻（5a、5b）的底板（1）上面，盖有一块用硅制成的盖板（2），在盖板上薄膜电阻（5a、5b）的上方腐蚀出一个穴（76），它构成了测量室的上面部分，以及
-盖板（2）有一个孔（8），它作为扩散通道可以使混合气进入测量室（7a、7b）。
5、按照权利要求4所述之传感器，其特征为：绝缘层（3）的材料采用氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si2N4），或用一种由两种硅化合物的混合物，或由两种硅化合物的多层结构所构成。
6、按照权利要求4所述之传感器，其特征为：在底板（1）上，测量室（7a、7b）之外，敷有测量温度用的电阻（9）。
7、按照权利要求4所述之传感器，其特征为：薄膜电阻（5a、5b）用一层厚度约为1微米最好由氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）制成的薄层来保护它们免遭混合气的化学影响。
8、按照权利要求4所述之传感器，其特征为：绝缘层（3）上有一些孔口（11a、11b），通过它们来实现测量室下面部分（7a）中的气体更换。
9、按照权利要求4所述之传感器，其特征为：在盖板（2）中的穴（7b）所具有的深度为10微米至100微米。

暂无