玻璃晶片抛光方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910524678.2
IPC分类号：B24B1/00;B24D11/00;B24D11/02
申请日期：
2019-06-17
申请人：
浙江晶特光学科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	玻璃晶片抛光方法
申请号	CN201910524678.2	申请日期	2019-06-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-17	公开/公告号	CN110238707A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B1/00 磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备（以使用专用机床或装置为特征的工艺，见与这些机床或装置相关的位置）〔4〕	IPC分类号	B;2;4;B;1;/;0;0;;;B;2;4;D;1;1;/;0;0;;;B;2;4;D;1;1;/;0;2查看分类表>
申请人	浙江晶特光学科技有限公司	申请人地址	浙江省台州市椒江区开发大道东段2198号研发大楼301室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江晶特光学科技有限公司	当前权利人	浙江晶特光学科技有限公司
发明人	牟光远;杨超平
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王娜

摘要

本发明提供了一种玻璃晶片抛光方法，涉及晶片加工技术领域，本发明提供的玻璃晶片抛光方法，包括如下步骤：采用包含氧化铈颗粒物的初抛光介质进行初抛光；采用设有孔隙的阻尼布，并使阻尼布涂覆包含二氧化硅颗粒物的精抛光介质进行精抛光，本发明提供的玻璃晶片抛光方法缓解了现有技术中晶片抛光表面粗糙度的均一性较差的技术问题，可以降低二氧化硅颗粒物因磨损产生的粒度变化，从而有利于降低晶片表面粗糙度的算数平均值和晶片表面粗糙度的均方根值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供