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高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910196126.X
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L21/265
  • 申请日期:
    2009-09-22
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称高压工艺中静电放电保护二极管的制作方法
申请号CN200910196126.X申请日期2009-09-22
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2010-03-17公开/公告号CN101673684
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海宏力半导体制造有限公司当前权利人上海宏力半导体制造有限公司
发明人胡剑
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要

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