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一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202111040770.5
  • IPC分类号:G03F1/00;G03F1/62;G03F1/68;C23C14/06;C23C14/35
  • 申请日期:
    2021-09-07
  • 申请人:
    东莞市宏诚光学制品有限公司
著录项信息
专利名称一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法
申请号CN202111040770.5申请日期2021-09-07
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113608405A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/00IPC分类号G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;1;/;6;2;;;G;0;3;F;1;/;6;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人东莞市宏诚光学制品有限公司申请人地址
广东省东莞市茶山镇黄岭路62号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东莞市宏诚光学制品有限公司当前权利人东莞市宏诚光学制品有限公司
发明人李由根;李娜;萧训山;刘丹;吴婷
代理机构东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙)代理人齐海迪
摘要
本发明公开了一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版,该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法主要为提供一个Cr靶材,通过通入气体以形成所需的膜层,经过实际检测可得出:使得该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版具有高精度的光学物性,且该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的靶向及行车方向均达到高均匀性。

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