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磁控溅射镀膜真空箱体

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410835443.2
  • IPC分类号:C23C14/35
  • 申请日期:
    2014-12-29
  • 申请人:
    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
著录项信息
专利名称磁控溅射镀膜真空箱体
申请号CN201410835443.2申请日期2014-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-25公开/公告号CN104451581A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/35IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请人地址
吉林省长春市东南湖大路3888号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所当前权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人高劲松;刘震;刘海;王笑夷;杨海贵;王彤彤;申振峰
代理机构长春菁华专利商标代理事务所代理人王丹阳
摘要
本发明公开了一种磁控溅射镀膜真空箱体,属于薄膜制备设备技术领域。解决了现有技术中磁控溅射镀膜真空箱体结构固定、耗费人力大,对体积限制性强,对于大口径SiC表面改性的局限性大的技术问题。该真空箱体,包括箱盖、上箱体、下箱体、液压支撑机构和滑板;上箱体和下箱体的侧壁上设有多个法兰口和多个冷却水管,箱盖的上表面、上箱体的侧壁和下箱体的侧壁上均设有加强筋。该真空箱体、上箱体和下箱体均可分别拆卸,下箱体可单独或者同上箱体共同随滑板移动,箱盖可以单独也可以同上箱体共同升降,利于借助吊装机械设备对磁控溅射设备进行安装、清洁及维护保养,操作方便,降低人力耗费。

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