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复合基板

发明专利有效专利

申请号：
CN201280063158.2
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/20;H01L27/12
申请日期：
2012-12-20
申请人：
信越化学工业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	复合基板
申请号	CN201280063158.2	申请日期	2012-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104040685A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	信越化学工业株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越化学工业株式会社	当前权利人	信越化学工业株式会社
发明人	小西繁;久保田芳宏;川合信
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	肖靖

摘要

一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

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