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基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201520533104.9
  • IPC分类号:H01P1/203
  • 申请日期:
    2015-07-22
  • 申请人:
    东北大学
著录项信息
专利名称基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器
申请号CN201520533104.9申请日期2015-07-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01P1/203IPC分类号H;0;1;P;1;/;2;0;3查看分类表>
申请人东北大学申请人地址
辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东北大学当前权利人东北大学
发明人喇东升;贾守卿;马雪莲
代理机构北京联创佳为专利事务所(普通合伙)代理人刘美莲;郭防
摘要
本实用新型公开了一种基于缺陷微带结构和缺陷地结构的双频带带阻滤波器,包括:介质基板(1)、设于介质基板(1)底面上的金属镀层接地板(2)及设于介质基板(1)上面的金属微带线(3),接地板(2)和微带线(3)上均刻蚀有δ形缺陷结构。本实用新型通过利用刻蚀有δ形缺陷结构的接地板和微带线构成双频带带阻滤波器,从而可以有效提高双频带带阻滤波器的选择特性;此外,本实用新型双频带带阻滤波器的两个阻带的中心频率可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的长度实现独立调节,两个带宽可以通过改变缺陷微带结构和缺陷地结构的缝隙宽度实现独立调节。

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