成膜方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711057866.6
IPC分类号：H01L21/02;C23C16/44;C23C16/54
申请日期：
2017-11-01
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	成膜方法
申请号	CN201711057866.6	申请日期	2017-11-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-14	公开/公告号	CN109755101A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;4查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种成膜方法。该成膜方法包括步骤：1）提供一第一边界最小重叠环，第一边界最小重叠环包括第一环形主体，第一环形主体的第一环形阻挡区域内形成有若干个沿其轴向间隔排布的通孔；2）提供一晶圆并置于第一边界最小重叠环的下方，于晶圆的上表面形成初始膜层；3）提供一第二边界最小重叠环，第二边界最小重叠环的第二环形主体的第二环形阻挡区域沿其周向未设有通孔；4）将表面形成有初始膜层的晶圆置于第二边界最小重叠环的下方，于初始膜层的上表面形成主体膜层，最终得到所需膜层。采用本发明的成膜方法得到的膜层具有较好的边缘斜面和台阶覆盖，有利于后续工艺去除表面缺陷，提高器件和电路的可靠性，并使光刻工艺更简化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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