基于超对称性的锥形半导体激光器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202210847275.3
IPC分类号：H01S5/10
申请日期：
2022-07-19
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于超对称性的锥形半导体激光器及其制备方法
申请号	CN202210847275.3	申请日期	2022-07-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-09-02	公开/公告号	CN115000807A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;0查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	雷宇鑫;陈泳屹;崔强;梁磊;贾鹏;宋悦;邱橙;秦莉;王立军
代理机构	长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	高一明

摘要

本发明提供一种基于超对称性的锥形半导体激光器及其制备方法，其中的基于超对称性的锥形半导体激光器包括量子外延片基底，在量子外延片基底上制备形成脊形波导、与脊形波导首尾相接的锥形增益波导和位于锥形增益波导两侧的超对称伴子损耗波导；其中，脊形波导用于产生近衍射极限的基模光；锥形增益波导用于对基模光进行放大；超对称伴子损耗波导与锥形增益波导的相位模式相匹配，形成超对称耦合，用于湮灭锥形增益波导中的高阶模式。本发明通过引入超对称伴子损耗波导，湮灭锥形增益波导内产生的高阶模式，提高基模光强度及光束质量，增大锥形器件的腔面灾变性损伤阈值，获得均匀的近场光强分布，实现稳定的高功率近衍射极限的激光输出。

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