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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种碳化硅沟槽MOS器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810992057.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
  • 申请日期:
    2018-08-29
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种碳化硅沟槽MOS器件
申请号CN201810992057.2申请日期2018-08-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-01公开/公告号CN109119462A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人罗小蓉;何清源;廖天;张科;方健;杨霏
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人孙一峰
摘要
本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于:采用T字形槽栅结构,辅助耗尽漂移区,提高漂移区浓度,减小导通电阻,同时提高击穿电压;采用P型埋层作为缓冲层,降低饱和电流,提高抗短路能力。相比于传统的碳化硅沟槽MOS器件,本发明不仅具有更低的导通电阻、更高的击穿电压,而且具有更好的抗短路能力。

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