加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610126260.2
  • IPC分类号:H01L29/417;H01L29/78
  • 申请日期:
    2016-03-07
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201610126260.2申请日期2016-03-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-10-12公开/公告号CN106024868A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/417IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人尹彰燮;具滋悦;金相吉
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人刘灿强;李云霞
摘要
提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个有源图案,从基底突出;栅极结构,与多个有源图案交叉;多个源区/漏区,分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上;源/漏接触件,与多个有源图案交叉,每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区,多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分,第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触,第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大,第二部分从第一部分延伸,第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小,源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供