具有公共位线结构的非易失性存储器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200910178279.1
IPC分类号：G11C16/02;G11C16/08
申请日期：
2009-10-09
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有公共位线结构的非易失性存储器件
申请号	CN200910178279.1	申请日期	2009-10-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-02	公开/公告号	CN101719381A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	姜熙秀;李昔柱;朴允文;张桐熏;尹永培
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

本发明提供了一种具有公共位线结构的非易失性存储器件，其包括具有NAND单元阵列结构的多个单位元件，其布置在多个存储串的每个中且每个单位元件包括控制栅极和电荷存储层。多条公共位线每条公共连接到存储串中一对存储串的每个的端部。设置了具有第一驱动电压的第一选择晶体管和与第一选择晶体管串联并具有小于第一驱动电压的第二驱动电压的多个第二选择晶体管。第一和第二选择晶体管布置在公共位线与存储串的单位元件之间。第一串选择线连接到一对存储串的第一存储串的第一和第二选择晶体管之一。第二串选择线连接到一对存储串的第二存储串的第一和第二选择晶体管之一。多条字线连接到具有NAND单元阵列结构且布置在相同行中的单位元件的控制栅极。

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