一种增大注入层间距的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010992674.X
IPC分类号：G06F30/392;G06F30/398;H01L21/027;G06F113/18
申请日期：
2020-09-21
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种增大注入层间距的方法
申请号	CN202010992674.X	申请日期	2020-09-21
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-01-08	公开/公告号	CN112199917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/392	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;9;2;;;G;0;6;F;3;0;/;3;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;6;F;1;1;3;/;1;8查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	王英磊;曾鼎程;胡展源
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明提供一种增大注入层间距的方法原始版图中包含至少两个注入层图形和被注入层图形包裹的多个有源区图形；将相邻两个注入层图形彼此临近的两个边作为目标边，将目标边进行正常偏移，当正常偏移操作使目标边与其最近的有源区图形的间距达到58.5nm及目标边之间的间距小于224nm时，以目标边为长边在注入层内做矩形图形，将有源区图形的尺寸沿其各个边长方向增大58.5nm形成伪有源区图形；将矩形图形与伪有源区图形作减法运算得到boolean偏移操作。本发明对版图中的注入层图形重新定义，对注入层作正常偏移和boolean偏移，在遵循版图设计规则的前提下，使偏移后形成的新的注入层图形能够增加注入层之间的间距，从而抵消光刻中前层反射对当层的影响，防止光刻胶的断裂。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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