去除晶片针状缺陷的方法以及电容器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610025421.5
IPC分类号：--
申请日期：
2006-04-03
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	去除晶片针状缺陷的方法以及电容器的制造方法
申请号	CN200610025421.5	申请日期	2006-04-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-10	公开/公告号	CN101051601
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	徐立;廖国彰;林新发;李先林
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

本发明提供了一种去除晶片针状缺陷的方法，所述针状缺陷在晶片基底沟槽蚀刻的过程中形成，包括：沉积掺杂硅化物，所述掺杂硅化物覆盖晶片以及沟槽的表面；涂覆光阻层；将晶片周边的光阻去除，露出针状缺陷；第一蚀刻步骤，去除针状缺陷；第二蚀刻步骤，将光阻层蚀刻至沟槽内一定深度，确定电容极板的位置。本发明不需要专门的去除针状缺陷的步骤，本发明通过在一个反应室内进行两次蚀刻阶段，使得去除针状缺陷的过程于定义电容极板位置的过程在一次蚀刻步骤中完成，将现有技术中两道的蚀刻工序整合为一道工序，并且可以达到相同的效果，节约成本，提高效率，保证成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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