用于通过激光束使半导体结晶化的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510079083.9
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/268;G02F1/133
申请日期：
2003-05-16
申请人：
富士通株式会社;株式会社日本激光

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著录项信息

专利名称	用于通过激光束使半导体结晶化的方法
申请号	CN200510079083.9	申请日期	2003-05-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-30	公开/公告号	CN1702829
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3查看分类表>
申请人	富士通株式会社;株式会社日本激光	申请人地址	日本大阪变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社,株式会社日本激光	当前权利人	夏普株式会社,株式会社日本激光
发明人	佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	付建军

摘要

由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种使半导体结晶化的方法，包括如下步骤把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层，以使得该半导体层熔化和结晶化，其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上，相互平行地扫描该半导体层，并且被定位，使得它们的熔化轨迹相互重叠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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