半导体电阻器制造方法、半导体电阻器以及电子设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210093710.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/64
申请日期：
2012-03-31
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体电阻器制造方法、半导体电阻器以及电子设备
申请号	CN201210093710.4	申请日期	2012-03-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-25	公开/公告号	CN102610495A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	张昊
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供了一种半导体电阻器制造方法、半导体电阻器以及电子设备。根据本发明的半导体电阻器制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成阱区；在阱区上部区域中形成第一接触区和第二接触区；在阱区表面上的除了第一接触区和第二接触区之外的区域上布置掩膜多晶硅层；利用掩膜多晶硅部分作为金属化硅化物阻挡层，在所述第一接触区和第二接触区表面分别形成第一金属化硅化物和第二金属化硅化物。根据本发明，布置掩膜多晶硅层的步骤可以集成至集成电路的多晶硅栅极的沉积步骤中，从而无需增加附加的掩膜。并且，所布置的掩膜多晶硅层可以替代现有技术中的金属化阻挡层掩膜的作用，用来确保第一接触区和第二接触区之间的表面区域不被金属化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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