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基于硅通孔的三维堆叠封装方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710046259.X
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2007-09-21
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称基于硅通孔的三维堆叠封装方法
申请号CN200710046259.X申请日期2007-09-21
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2009-03-25公开/公告号CN101393874
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H01L21/60查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人靳永刚;毛剑宏;朱文渊;章国伟
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明公开了一种基于硅通孔的三维堆叠封装方法,涉及半导体领域的集成技术。该方法包括:提供待封装的晶圆,每一晶圆具有若干焊垫;在晶圆的正面沉积阻挡层后,进行蚀刻步骤,露出晶圆上的焊垫;在对应焊垫的位置制作所述硅通孔;采用无电极电镀向硅通孔内填充金属,填充的金属一端与焊垫电性连接,另一端延伸出晶圆的背面形成连接部;采用无电极电镀在焊垫上电镀金属,电镀的金属突出晶圆正面形成连接部;利用晶圆键合设备将一晶圆正面的连接部与另一晶圆背面的连接部进行键合堆叠。与现有技术相比,本发明提供的方法通过采用无电极电镀方法向硅通孔内填充金属,简化了封装步骤,且提高了晶圆堆叠后的可靠性。

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