一种提高Flash擦写寿命的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510482615.7
IPC分类号：G06F3/06
申请日期：
2015-08-07
申请人：
杭州海兴电力科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高Flash擦写寿命的方法
申请号	CN201510482615.7	申请日期	2015-08-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-16	公开/公告号	CN105159601A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F3/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F3/00 用于将所要处理的数据转变成为计算机能够处理的形式的输入装置；用于将数据从处理机传送到输出设备的输出装置，例如，接口装置〔4〕 G06F3/06 来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出	IPC分类号	G;0;6;F;3;/;0;6查看分类表>
申请人	杭州海兴电力科技股份有限公司	申请人地址	浙江省杭州市莫干山路1418-5号（上城工业园区）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州海兴电力科技股份有限公司	当前权利人	杭州海兴电力科技股份有限公司
发明人	周良璋;汪烈华;侯培民;程波;张明;舒元康
代理机构	杭州凯知专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王登远

摘要

发明涉及一种提高Flash擦写寿命的方法。目的在于提供一种能够提高Flash介质擦写寿命的方法。方案：将每个Flash扇区分为128个子块，根据当前各子块的读写状态建立对应的位偏移寻址信息和擦除次数信息，将位偏移寻址信息和擦除次数信息存储于任意一个子块中，并对其进行实时更新；位偏移寻址信息占用16个字节，每个字节8位，每一位对应当前Flash扇区的一个子块的状态；读/写操作时获取当前状态下的位偏移寻址信息和擦除次数信息，根据该位偏移寻址信息对各子块进行读/写；读/写规则为，对于已写过数据但未擦除的子块，不再进行写操作；对于未写过或擦除后未写过数据的子块，不进行读操作。发明主要用于智能电子产品。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供