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共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201310307033.6
IPC分类号：C30B29/12;G01T1/202;A61B6/00
申请日期：
2013-07-19
申请人：
上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用
申请号	CN201310307033.6	申请日期	2013-07-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-13	公开/公告号	CN103388179A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/12 卤化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;G;0;1;T;1;/;2;0;2;;;A;6;1;B;6;/;0;0查看分类表>
申请人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市嘉定区城北路215号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海硅酸盐研究所中试基地,中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	上海硅酸盐研究所中试基地,中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	吴云涛;任国浩;陈晓峰;李焕英;潘尚可
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹芳玲;郑优丽

摘要

本发明涉及一种共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用，所述闪烁晶体的化学组成为(Cs1-x-yTlxREy)(I1-yX3y)或者(Cs1-x-yTlxYby)(I1-yX2y)，其中三价共掺杂元素RE选自三价镧（La）、镥（Lu）和镱（Yb）中的至少一种，二价共掺杂元素为二价Yb，X选自F、Cl、Br和I中的至少一种，0

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