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应用混合芯构件制备高纯硅棒的装置和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200780010121.2
IPC分类号：C30B29/06;C30B25/18
申请日期：
2007-05-11
申请人：
韩国化学研究院

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	应用混合芯构件制备高纯硅棒的装置和方法
申请号	CN200780010121.2	申请日期	2007-05-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-08	公开/公告号	CN101405437
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	韩国化学研究院	申请人地址	韩国大田变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩国化学研究院	当前权利人	韩国化学研究院
发明人	金希永;尹卿求;朴容起;苏源郁;崔源春
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	郭建新

摘要

公开了应用混合芯构件制备多晶硅棒的方法和装置，它包括：将电阻材料制造的第一芯构件与硅材料制造的第二芯构件一起装入沉积反应器的内部空间；对第一芯构件进行电加热和通过电加热的第一芯构件来预热第二芯；对预热的第二芯构件进行电加热；以及呈对第一芯构件和第二芯构件进行电加热的状态将反应气体输入所述内部空间而进行硅沉积。

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