控制刻蚀方法及刻蚀装置的控制装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200810105303.4
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/66;H01L21/306;H01L21/3213;H01L21/311
申请日期：
2008-04-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	控制刻蚀方法及刻蚀装置的控制装置
申请号	CN200810105303.4	申请日期	2008-04-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-04	公开/公告号	CN101572216
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	杜珊珊;韩秋华;张海洋
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

一种控制刻蚀方法，包括：获取同一批生长的薄膜的厚度的平均值；判断平均值是否超出预定范围；若平均值超出预定范围，进行附加刻蚀工艺和标准刻蚀工艺；若在预定范围内，进行标准刻蚀工艺。相应地，本发明还提供一种控制刻蚀装置。本发明通过对同一批生长的薄膜的厚度计算其平均值，对于平均值超出预定范围的该批薄膜在进行标准刻蚀工艺之前或者之后进行附加刻蚀的时候，均采用相同的附加刻蚀的参数，故避免了现有技术的在进行附加刻蚀前对每片半导体衬底上的薄膜进行测试、和调整附加刻蚀的参数步骤，节约了工艺过程，缩短了整个刻蚀过程的时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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