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半导体结构与半导体结构的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110199199.1
IPC分类号：H01L23/544;H01L21/762
申请日期：
2011-07-12
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构与半导体结构的制造方法
申请号	CN201110199199.1	申请日期	2011-07-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-25	公开/公告号	CN102332448A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈桂顺;陈孟伟;刘家助;黄建元;林家庆
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。在一实施例中，半导体结构包含具有组件区与对准区的基材；位于对准区中且具有第一深度D1的第一浅沟渠隔离(STI)特征；位于组件区中且具有第二深度D2的第二STI特征；具有图案化特征的对准标记，其中图案化特征是覆盖在对准区中的第一STI特征之上；以及形成在组件区中的主动区之上的栅极堆叠。

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