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设有掺杂器的直拉硅单晶炉

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820154630.4
IPC分类号：C30B15/00;F27B17/00
申请日期：
2008-10-30
申请人：
上海九晶电子材料股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	设有掺杂器的直拉硅单晶炉
申请号	CN200820154630.4	申请日期	2008-10-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;F;2;7;B;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	上海九晶电子材料股份有限公司	申请人地址	上海市松江区长塔路399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海九晶电子材料股份有限公司	当前权利人	上海九晶电子材料股份有限公司
发明人	施美生
代理机构	上海天翔知识产权代理有限公司	代理人	刘粉宝

摘要

一种设有掺杂器的直拉硅单晶炉，包括直拉单晶炉本体，单晶炉本体包括坩埚、炉膛保温盖，所述直拉单晶炉本体设置掺杂器，所述掺杂器包括：用于盛装掺杂元素的圆柱型的料斗；所述料斗通过棒连接手柄。所述棒与料斗的侧面或底部采用焊接方式连接；所述手柄与棒通过穿过固定孔的定位销连接。本实用新型具有方便、安全、正确，对炉膛内壁沾污较轻，且掺杂量少的优点。

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