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制造半导体器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410081855.8
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2002-06-28
  • 申请人:
    株式会社东芝
著录项信息
专利名称制造半导体器件的方法
申请号CN200410081855.8申请日期2002-06-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-08-10公开/公告号CN1652303
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人株式会社东芝申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝当前权利人株式会社东芝
发明人井口直;角田弘昭;松野光一
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
一种制造半导体器件的制造方法,包括:在半导体衬底上形成栅绝缘膜;在所说栅绝缘膜上形成栅电极,从而与所说半导体衬底电绝缘;腐蚀所说栅电极、所说栅绝缘膜和所说半导体衬底从而形成沟槽,该沟槽将用于形成器件的器件区与所说衬底上表面上的其它区电隔离;在氢气H2和氧气O2气氛中氧化所说半导体衬底的衬底侧表面和所说栅电极的栅极侧表面,该衬底侧表面形成所说沟槽的一部分侧表面,该栅极侧表面形成所说沟槽的另一部分侧表面。

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