功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710130915.4
IPC分类号：H01L21/00;G03F7/20;G03F9/00
申请日期：
2007-08-31
申请人：
江苏宏微科技有限公司

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著录项信息

专利名称	功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法
申请号	CN200710130915.4	申请日期	2007-08-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-06	公开/公告号	CN101118840
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	江苏宏微科技有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区科技园10栋411室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏宏微科技有限公司	当前权利人	江苏宏微科技有限公司
发明人	张景超;刘利峰;赵善麒
代理机构	常州市维益专利事务所	代理人	贾海芬

摘要

本发明涉及一种功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法，(1)对抛光后的硅片清洁处理，氧化形成第一氧化层；(2)在第一氧化层上淀积氮化硅层；(3)在氮化硅层涂胶后进行光刻、刻蚀氮化硅层，形成管芯内场氧化区窗口和对位标记内场氧化区窗口；(4)将硅片放入高温炉内进行氧化，在场氧化区窗口内形成场氧化层；(5)腐蚀掉其余的氮化硅层，对位标记内的第一氧化层和场氧化层形成凸起的类梯形的光刻对位标记，同时形成有源区窗口和终端扩散区窗口。本发明一次光刻工艺就能形成光刻对位标记、有源区窗口和终端扩散区窗口，形成的光刻对位标记既不会变形，也不会影响器件性能，制作工艺简单，能提高生产效率和器件成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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