串联ROM单元

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320000689.9
IPC分类号：G11C16/26;G11C16/06
申请日期：
2013-01-04
申请人：
苏州兆芯半导体科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	串联ROM单元
申请号	CN201320000689.9	申请日期	2013-01-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	苏州兆芯半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区创意产业园11-103单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州兆芯半导体科技有限公司	当前权利人	苏州兆芯半导体科技有限公司
发明人	于跃;郑坚斌
代理机构	苏州慧通知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	安纪平

摘要

本实用新型揭示了一种串联ROM单元，所述ROM单元至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线和第二位线上，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极分别连接至第一字线和第二字线上，在读取此串联ROM单元所对应的信息时，只需通过第一位线和第二位线就可以直接读取出该信息，这样就实现了4个MOS管共用一个源端VSS，减少了由于工艺规则带来的空间浪费，从而节约了面积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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