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一种纳米光栅的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010143946.5
  • IPC分类号:G02B5/18;G01Q60/10
  • 申请日期:
    2010-04-09
  • 申请人:
    重庆理工大学
著录项信息
专利名称一种纳米光栅的制作方法
申请号CN201010143946.5申请日期2010-04-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-09-29公开/公告号CN101846760A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/18IPC分类号G;0;2;B;5;/;1;8;;;G;0;1;Q;6;0;/;1;0查看分类表>
申请人重庆理工大学申请人地址
重庆市巴南区李家沱红光大道69号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人重庆理工大学当前权利人重庆理工大学
发明人罗静;王春欢;张微;詹捷
代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司代理人李晓兵
摘要
本发明公开了纳米光栅的制作方法,在光学玻璃表面上镀一层导电薄膜,构成光栅基体,薄膜厚度范围为30nm~90nm;将光栅基体固定在纳米进给工作台上,用扫描隧道显微测量装置在受控状态下带动探针沿Y轴方向运动,扫描隧道显微测量装置的脉冲电压发生器产生脉冲电压,经执行器施加在探针上,对光栅基体进行刻线加工;当一条栅线的刻线加工完成后,光栅基体向X轴方向移动量为10nm~80nm,重复前述刻线加工过程,在光学玻璃表面上制得纳米光栅。本发明采用STM纳米加工技术及STM电子束光刻技术制作具有纳米级线宽的光栅,实现光栅的纳米测量;由于探针与抗蚀膜的距离只有几纳米,加上探针尖端的直径很小,只有一个至数个原子,所以曝光只需通过与一次电子束的相互作用就可产生,克服了二次电子与背散射电子相互作用引起的分辨率降低的缺点,能获得更精细的20mm宽的线条。

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