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基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510509240.9
  • IPC分类号:H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00
  • 申请日期:
    2015-08-18
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法
申请号CN201510509240.9申请日期2015-08-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-25公开/公告号CN105098016A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/32IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人许晟瑞;任泽阳;郝跃;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;朱红星
摘要
本发明公开了一种基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是:1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中进行热处理;2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层;3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm,O掺杂浓度为3×1017cm‑3~3×1019cm‑3,C掺杂浓度为1×1017cm‑3~2×1019cm‑3的高温有源层;4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm,Mg掺杂浓度为2×1017cm‑3~3×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单,成本低,发光效率高的优点,可用于制作非极性m面GaN黄光发光二极管。

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