带FLASH的电子产品的软件升级方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710075118.0
IPC分类号：G11C7/24;G06F9/445
申请日期：
2007-06-18
申请人：
深圳市兆驰股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	带FLASH的电子产品的软件升级方法
申请号	CN200710075118.0	申请日期	2007-06-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-19	公开/公告号	CN101089991
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/24 存储器单元安全或保护电路，例如，用于防止无意中的读或写的装置；状态单元；测试单元〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;2;4;;;G;0;6;F;9;/;4;4;5查看分类表>
申请人	深圳市兆驰股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区南湾街道下李朗社区李朗路一号兆驰创新产业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市兆驰多媒体股份有限公司	当前权利人	深圳市兆驰多媒体股份有限公司
发明人	颜学武
代理机构	深圳市康弘知识产权代理有限公司	代理人	胡朝阳

摘要

本发明公开一种带FLASH的电子产品的软件升级方法，该方法包括：将电子产品的FLASH芯片的写保护口通过第一电阻接地；当进行FLASH芯片升级时，FLASH芯片的写保护口通过第二电阻接高电压，通过第一电阻和第二电阻的分压给FLASH芯片的写保护口提供一个高电平，使得FLASH芯片处于可写状态。本发明可在保持电子产品正常工作中，FLASH在I/O电平稳定的情况下，进行软件升级和调试工作，又可以来变I/O口电平状态，从而达到I/O口状态稳定，不易丢失数据，且整机升级和调试方便。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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