改善FDSOIPMOS结构且提高MOS器件性能的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910248784.2
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/77
申请日期：
2019-03-29
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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专利名称	改善FDSOIPMOS结构且提高MOS器件性能的方法
申请号	CN201910248784.2	申请日期	2019-03-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-28	公开/公告号	CN109950256A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	马雁飞;宋洋;王昌锋
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	栾美洁

摘要

本发明公开了一种改善FDSOI PMOS结构且提高MOS器件性能的方法，在栅极侧墙形成后、NMOS/PMOS外延生长之前，先在MOS区域的FDSOI衬底生长第一硅薄膜层，接着在NMOS区域生长第二硅薄膜层作为NMOS的源漏端，最后在PMOS区域生长锗硅薄膜层作为PMOS的源漏端。本发明在MOS区域生成的第一硅薄膜层可以对顶层硅在前期工艺中因湿法刻蚀等工艺产生的损耗进行有效弥补，避免了PMOS区域的顶层硅过度损耗或者浅沟槽隔离与最小有源区交界处的顶层硅缺失影响锗硅外延生长的缺陷，同时第一硅薄膜层有效增加了源漏端横纵向的尺寸，进而可以降低源漏端电阻，并且提高了源漏端到栅极的overlap电容，有利于提高器件的导通电流，从而提高器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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