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导电膜配线的形成方法、膜结构体、电光学装置以及电子仪器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03122526.8
  • IPC分类号:G02F1/133;H05K3/14
  • 申请日期:
    2003-04-18
  • 申请人:
    精工爱普生株式会社;爱发科股份有限公司
著录项信息
专利名称导电膜配线的形成方法、膜结构体、电光学装置以及电子仪器
申请号CN03122526.8申请日期2003-04-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2003-11-05公开/公告号CN1453608
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/133IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;3;;;H;0;5;K;3;/;1;4查看分类表>
申请人精工爱普生株式会社;爱发科股份有限公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人精工爱普生株式会社,爱发科股份有限公司当前权利人精工爱普生株式会社,爱发科股份有限公司
发明人古沢昌宏;平井利充;小田正明;岩重央
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
一种导电膜配线的形成方法,通过液体喷出机构(10)将含有金属微粒的第1液体材料配置在基板(11)上,并在基板上形成所定图案的导电膜配线时,在些之前预先将基板(11)的表面针对于液体材料控制成疏液性,同时通过液体喷出机构(10)将不同于第1液体材料的第2液体材料配置在基板(11)上,形成提高对基板(11)的导电膜配线的密接力的中间层W1。根据这种构成,本发明可以提供可实现导电膜配线的细线化的同时可提高对于基板的导电膜配线的密接力的导电膜配线的形成方法。

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