基于聚合物长周期波导光栅的生化传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510024416.1
IPC分类号：G01N21/31
申请日期：
2015-01-19
申请人：
电子科技大学

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专利名称	基于聚合物长周期波导光栅的生化传感器及其制备方法
申请号	CN201510024416.1	申请日期	2015-01-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-24	公开/公告号	CN104730007A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/31 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/25 颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响〔3〕 G01N21/31 测试材料在特定元素或分子的特征波长下的相对效应，例如原子吸收光谱术〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	王玲芳;陈开鑫;孙豹
代理机构	成都宏顺专利代理事务所（普通合伙）	代理人	周永宏

摘要

本发明公开了一种基于聚合物长周期波导光栅的生化传感器及其制备方法，生化传感器包括从下往上依次层叠的硅基层、下包层、芯层和上包层，所述上包层设有液体通道，芯层包括直波导，以及与直波导一侧相连并延伸进入液体通道的第一长周期光栅和第二长周期光栅；此外，该制备方法采用掩膜版一和掩膜板二，结合磁控溅射工艺、光刻工艺、湿法刻蚀工艺、干法刻蚀工艺等，可以方便快捷的制备上述生化传感器；本发明的生化传感器相对于传统生化传感器，具有尺寸小、结构简单、灵敏度高、检测快速、成本低、便于集成、检测多样性的优点。

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