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在衬底上形成加强互连的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710103556.3
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/60
申请日期：
2007-03-06
申请人：
飞思卡尔半导体公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	在衬底上形成加强互连的方法
申请号	CN200710103556.3	申请日期	2007-03-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-10	公开/公告号	CN101051614
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	飞思卡尔半导体公司	申请人地址	美国得克萨斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩智浦美国有限公司	当前权利人	恩智浦美国有限公司
发明人	萧喜铭;周安乐;黎戈;叶兴强;郑通庆;陈兰珠
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	柴毅敏

摘要

一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。

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