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硅类薄膜太阳能电池

发明专利无效专利

申请号：
CN200480021059.3
IPC分类号：H01L31/075
申请日期：
2004-07-12
申请人：
株式会社钟化

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅类薄膜太阳能电池
申请号	CN200480021059.3	申请日期	2004-07-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-30	公开/公告号	CN1826699
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/075 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/075 只是PIN型势垒的，例如非晶硅PIN太阳能电池〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;5查看分类表>
申请人	株式会社钟化	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社钟化	当前权利人	株式会社钟化
发明人	泽田彻;小井洋平;佐佐木敏明;吉见雅士;后藤雅博;山本宪治
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张平元;赵仁临

摘要

本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池，该电池是，通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位，可以发挥充分的吸光效果，且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。

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