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一种多注行波管浸渍钡阴极

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200520140499.2
  • IPC分类号:H01J23/04
  • 申请日期:
    2005-12-28
  • 申请人:
    安徽华东光电技术研究所
著录项信息
专利名称一种多注行波管浸渍钡阴极
申请号CN200520140499.2申请日期2005-12-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J23/04IPC分类号H;0;1;J;2;3;/;0;4查看分类表>
申请人安徽华东光电技术研究所申请人地址
安徽省芜湖市马塘区高新技术开发区华夏科技园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽华东光电技术研究所当前权利人安徽华东光电技术研究所
发明人吴华夏;方卫;贺兆昌;沈旭东;熊海斌;李锐;宋田英;孟昭红;吴磊
代理机构芜湖安汇知识产权代理有限公司代理人徐晖
摘要
本实用新型公开了一种多注行波管浸渍钡阴极,属于浸渍钡阴极这个技术领域,它由浸渍钡阴极(1)、栅控电极(2)组成,浸渍钡阴极(1)发射面与栅控电极(2)相联,本实用新型与现有技术相比,简化了浸渍钡阴极的结构,不再需要电子注的定位结构,减少了热能的损失,由于使用了铼粉及钨粉制作的阴极海绵体,增加了浸渍钡阴极发射电流,降低使用温度、提高浸渍钡阴极稳定性,浸渍钡阴极发射电流密度为9~10A/cm2,总导流系数为1.96μP,单电子注平均导流系数为0.22μP。

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