垂直腔面发射激光器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020342032.0
IPC分类号：H01S5/187;H01S5/323
申请日期：
2020-03-18
申请人：
首尔伟傲世有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	垂直腔面发射激光器件
申请号	CN202020342032.0	申请日期	2020-03-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/187 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/187 用分布布喇格反射器的〔SE-DBR-激光器〕（H01S5/183优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;7;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3查看分类表>
申请人	首尔伟傲世有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	首尔伟傲世有限公司	当前权利人	首尔伟傲世有限公司
发明人	朴城柱
代理机构	北京钲霖知识产权代理有限公司	代理人	李英艳;玉昌峰

摘要

一实施例的垂直腔面发射激光器件，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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