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一种半导体器件及其制造方法、电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710587405.3
IPC分类号：H01L21/77;H01L27/04
申请日期：
2017-07-18
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制造方法、电子装置
申请号	CN201710587405.3	申请日期	2017-07-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-25	公开/公告号	CN109273405A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区临港新城云水路1000号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	三重野文健
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	冯永贞;高伟

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成立方相碳化硅基底；对所述立方相碳化硅基底进行无定形处理，以在所述立方相碳化硅基底的顶部形成无定形碳化硅层；对所述无定形碳化硅层进行再结晶处理，以在所述无定形碳化硅层的顶层形成单晶碳化硅层。通过所述方法形成的所述SiC基衬底的性能和良率得到极大的提高。

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