一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710101532.8
IPC分类号：C30B29/04;C30B25/14;C30B25/16;C30B25/18;C30B33/00;C30B33/10
申请日期：
2017-02-23
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法
申请号	CN201710101532.8	申请日期	2017-02-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-13	公开/公告号	CN106835275A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/04 金刚石〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0;;;C;3;0;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	朱嘉琦;舒国阳;代兵;刘康;赵继文;姚凯丽;王强;王杨;孙明琪;杨磊;雷沛;韩杰才
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	李红媛

摘要

一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。

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