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EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201520007852.3
  • IPC分类号:H01L23/544
  • 申请日期:
    2015-01-07
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构
申请号CN201520007852.3申请日期2015-01-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人张学海;李俊;邵长乐
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本实用新型提供了一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构,包括:半导体衬底,其中,所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区,所述有源区之间设置有浅沟道隔离;在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层,所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。在电性能测试过程中可测得所述栅氧化物的电容,根据所述栅氧化物的厚度可得所述有源区的电性面积;然后根据测得的有源区的关键尺寸,可以得出所述有源区的物理面积,所述有源区的电性面积与物理面积的比值就可定量的描述浅沟道隔离凹陷区的大小。

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