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专利名称 | 一种石英晶体谐振器 |
申请号 | CN201520260608.8 | 申请日期 | 2015-04-27 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2015-09-02 | 公开/公告号 | CN204615782U |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | H03H9/10 | IPC分类号 | H;0;3;H;9;/;1;0;;; ;H;0;3;H;9;/;1;9查看分类表>
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申请人 | 唐志强 | 申请人地址 | 北京市朝阳区金盏乡东窑村浴池北门
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权利人 | 唐志强 | 当前权利人 | 唐志强 |
发明人 | 唐志强 |
代理机构 | 北京方韬法业专利代理事务所 | 代理人 | 刘晶婷 |
摘要
本实用新型公开了一种石英晶体谐振器,包括石英晶片、基座和与其密封配合的上盖,所述石英晶片位于基座与上盖形成的密封空腔内,所述上盖与基座相接触的接触面处开设有连续的环形沟槽。所述环形沟槽的横截面为倒“V”形结构或类锯齿形结构。本实用新型针对现有石英晶体谐振器粘接封装结构的缺点,在上盖上开设连续的环形沟槽,增加了上盖与基座粘接面的接触面积以及粘接胶的容量,提高粘接的牢固度,改善封装的气密性。本实用新型以简单的结构改进,提高了石英晶体谐振器的可靠性,可以大大降低生产成本,提高产品的合格率,有广泛的市场应用前景。
1.一种石英晶体谐振器,包括石英晶片、基座和与其密封配合的上盖,所述石英晶片位于基座与上盖形成的密封空腔内,其特征在于,所述上盖与基座相接触的接触面处开设有连续的环形沟槽。
2.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述环形沟槽的横截面为倒“V”形结构。
3.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述环形沟槽的横截面为类锯齿形结构。
4.根据权利要求2或3所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述上盖为平板结构,与其密封配合的基座具有凹腔结构。
5.根据权利要求2或3所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述上盖为中间部分向上凸起的结构,与其密封配合的基座具有或不具有凹腔结构。
6.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述基座和上盖采用金属材料。
7.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器,其特征在于,所述基座和上盖采用陶瓷或玻璃非金属材料。
一种石英晶体谐振器\n技术领域\n[0001] 本实用新型涉及电子元件的封装技术领域,特别是涉及一种石英晶体谐振器。\n背景技术\n[0002] 目前常见的石英晶体谐振器包括表面贴装型和非表面贴装型,参照附图1和2所示,表面贴装型石英晶体谐振器包括基座1、上盖2、石英晶片3和焊盘4。参照附图3和4所示,非表面贴装型石英晶体谐振器包括基座1、上盖2、石英晶片3和引线5。基座1与上盖2通过特定的封装工艺紧密联结后,形成真空或非真空的密闭腔体;石英晶体位于该密闭腔体中,并固定于基座1上;焊盘4或引线5形成石英晶体电极与外部电路间的电性连接。\n[0003] 目前将基座与上盖联结的封装工艺主要有两类:一类是采用各种方法将基座与上盖接触面的金属熔化从而焊接在一起,形成密闭的腔室。焊接的方法有多种,如滚边焊、超声波加热、热熔、电阻焊、激光焊接等。另一类是采用各种可用的粘接胶(以下简称为胶),将基座与上盖粘接在一起,形成密闭的腔室。胶的种类有很多,包括常温固化胶、高温固化胶、UV胶、单组份胶、双组分胶等。\n[0004] 现有的石英晶体谐振器采用金属焊接的方法封装后,气密性好,石英晶体工作稳定可靠。但其缺点是封装设备昂贵,工艺成本高,不利于推广使用,且该方法仅适用于基座和上盖均为金属材质,或者两者接触面均为金属材质。\n[0005] 而采用胶粘的方法,封装设备简单,工艺成本低,生产出来的谐振器有成本优势,且可用于各种不同材质的基座与上盖。但由于通常的谐振器基座与上盖间的接触处为一窄环形平面,接触面积很小,因此能够用于涂胶的面积很小,固化后的粘接强度低,使得谐振器的抗跌落性、抗震性差,导致可靠性差。另外由于基座与上盖之间为平整的接触面,若胶固化时不进行挤压,则容易因胶涂得凹凸不均,造成某些部位漏气而降低谐振器的可靠性;\n若胶固化时进行挤压,则容易造成胶的流失而使得粘接不牢。\n[0006] 由此可见,上述现有的石英晶体谐振器在结构、方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。如何能创设一种结构简单、可靠性好的新的石英晶体谐振器,成为当前业界极需改进的目标。\n实用新型内容\n[0007] 本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、可靠性强的石英晶体谐振器,使其较好的实现谐振器的牢固性和气密性,从而克服现有的采用胶粘封装工艺的石英晶体谐振器的不足。\n[0008] 为解决上述技术问题,本实用新型提供一种石英晶体谐振器,包括石英晶片、基座和与其密封配合的上盖,所述石英晶片位于基座与上盖形成的密封空腔内,所述上盖与基座相接触的接触面处开设有连续的环形沟槽。\n[0009] 作为本实用新型的一种改进,所述环形沟槽的横截面为倒“V”形结构。\n[0010] 进一步改进,所述环形沟槽的横截面为类锯齿形结构。\n[0011] 进一步改进,所述上盖为平板结构,与其密封配合的基座具有凹腔结构。\n[0012] 进一步改进,所述上盖为中间部分向上凸起的结构,与其密封配合的基座具有或不具有凹腔结构。\n[0013] 进一步改进,所述基座和上盖采用金属材料。\n[0014] 进一步改进,所述基座和上盖采用陶瓷或玻璃非金属材料。\n[0015] 采用上述的技术方案,本实用新型至少具有以下优点:\n[0016] 本实用新型针对现有石英晶体谐振器粘接封装结构的缺点,在上盖上开设连续的环形沟槽,增加了上盖与基座粘接面的接触面积以及粘接胶的容量,提高粘接的牢固度,改善封装的气密性。\n[0017] 本实用新型以简单的结构改进,提高了石英晶体谐振器的可靠性,可以大大降低生产成本,提高产品的合格率,有广泛的市场应用前景。\n附图说明\n[0018] 上述仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,以下结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。\n[0019] 图1是现有技术表面贴装型石英晶体谐振器封装前的结构示意图;\n[0020] 图2是现有技术表面贴装型石英晶体谐振器封装后的结构示意图;\n[0021] 图3是现有技术非表面贴装型石英晶体谐振器封装前的结构示意图;\n[0022] 图4是现有技术非表面贴装型石英晶体谐振器封装后的结构示意图;\n[0023] 图5是本实用新型石英晶体谐振器上盖实施例一的立体示意图;\n[0024] 图6是本实用新型石英晶体谐振器上盖实施例一的剖面示意图;\n[0025] 图7是本实用新型石英晶体谐振器上盖实施例二的立体示意图;\n[0026] 图8是本实用新型石英晶体谐振器上盖实施例二的剖面示意图;\n[0027] 图9是本实用新型石英晶体谐振器封装前的结构示意图;\n[0028] 图10是本实用新型石英晶体谐振器封装后的结构示意图;\n[0029] 图11是本实用新型石英晶体谐振器封装后的剖面示意图。\n具体实施方式\n[0030] 本实用新型石英晶体谐振器,包括石英晶片、基座和与其密封配合的上盖。石英晶片位于基座与上盖形成的密封空腔内。\n[0031] 参照附图5和6所示,该上盖10与基座相接触的接触面处开设有连续的环形沟槽\n11。该沟槽11的横截面优选倒“V”形或类锯齿状结构,因此该上盖10与基座的接触面不再是光滑的平面,而是增加了容纳粘接胶的空间,该结构增加了上盖10与胶之间、胶与基座之间的接触面积,大大改善了粘接封装的牢固度和气密性,同时提高了石英晶体谐振器的封装合格率。\n[0032] 当然,本实用新型石英晶体谐振器的上盖10,可以具有多种不同的结构:\n[0033] 参照附图5和6所示,上盖10整体是一个平板,其边沿与基座的接触处具有倒“V”形或类锯齿状结构,与其相配套的基座必须带有凹腔结构,两者粘接后形成容纳石英晶片的腔体。\n[0034] 参照附图7和8所示,上盖10的中间部分可以向上凸起,其边沿与基座的接触处具有倒“V”形或类锯齿状结构11,与其相配套的基座可以具有或不具有凹腔结构,两者粘接后形成容纳石英晶片的腔体。\n[0035] 本实用新型的上盖结构,适用于使用胶粘工艺封装的石英晶体谐振器,包括真空或非真空封装的表面贴装型和非表面贴装型石英晶体谐振器,并且其基座和上盖的材质可以是金属材料,也可以是陶瓷、玻璃等非金属材料。\n[0036] 参照附图9至11所示,本实用新型石英晶体谐振器的封装流程如下:\n[0037] 首先,将上盖10倒置,在其沟槽11处覆上一薄层胶30,将带有晶片的基座20倒置,并准确地扣于上盖10的沟槽上;\n[0038] 其次,给基座20施以适当的挤压力,在此过程中,胶被挤入上盖10的沟槽11部分,形成有一定厚度的完整的环形带状胶层,该胶带由于挤压作用与基座及上盖紧密贴合;\n[0039] 最后,对装配好的石英晶体谐振器进行常温放置或加热处理,使胶固化,可起到非常牢固的粘接和密封作用。\n[0040] 本实用新型通过采用上述上盖结构,可以增加上盖与基座粘接面之间的含胶量,扩大粘接面积,从而增加上盖与基座的联结强度,大大改善了粘接封装的牢固度和气密性,并改善了封装后的晶体谐振器的抗跌落性、抗震性,提高了可靠性。\n[0041] 另外,本实用新型的上盖结构,使得在胶固化时可以对上盖和基座进行适当挤压,使胶与上盖和基座接触更紧密、更均匀但又不会大量流失,不仅提高了粘接封装的牢固度和气密性,提高谐振器的电气特性、稳定性、可靠性和使用寿命,同时提高了谐振器的封装合格率,降低了制造成本,提高了谐振器产品的市场竞争力,有广泛的市场应用前景。\n[0042] 以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰,均落在本实用新型的保护范围内。
法律信息
- 2018-05-15
未缴年费专利权终止
IPC(主分类): H03H 9/10
专利号: ZL 201520260608.8
申请日: 2015.04.27
授权公告日: 2015.09.02
- 2015-09-02
引用专利(该专利引用了哪些专利)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有引用任何外部专利数据! |
被引用专利(该专利被哪些专利引用)
序号 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日 | 申请日 | 专利名称 | 申请人 | 该专利没有被任何外部专利所引用! |