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半导体器件的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810183571.1
  • IPC分类号:H01L21/033;H01L21/027
  • 申请日期:
    2018-03-06
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件的形成方法
申请号CN201810183571.1申请日期2018-03-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-09-13公开/公告号CN110233097A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/033IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人张海洋;陈卓凡
代理机构上海德禾翰通律师事务所代理人侯莉
摘要
本发明公开了一种半导体器件的形成方法,包括提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有刻蚀停止层,在刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构,第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构,相邻第一子掩膜结构之间包括第一凹槽;形成充满第一凹槽的第二掩膜结构;刻蚀部分第二掩膜结构,以形成连接孔,连接孔的内壁包括与之相邻的两个第一子掩膜结构的部分侧壁;和填充连接孔,以形成第三掩膜结构。进而得到尺寸较小,结构更加规整的掩膜线段结构。

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