一种用于脉冲功率应用中SiCMOSFET的强流驱动装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110260856.2
IPC分类号：H03K17/687
申请日期：
2021-03-10
申请人：
重庆大学

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著录项信息

专利名称	一种用于脉冲功率应用中SiCMOSFET的强流驱动装置
申请号	CN202110260856.2	申请日期	2021-03-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113364443A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/687 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/51 按使用特殊元件区分的（H03K 17/04至H03K 17/30，H03K 17/94优先）〔3〕 H03K17/56 应用半导体器件作为有源元件的（应用二极管的入H03K 17/74）〔3〕 H03K17/687 应用场效应晶体管的〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区沙正街174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆大学	当前权利人	重庆大学
发明人	余亮;马剑豪;姚陈果;董守龙;谯雪;王丽丽
代理机构	重庆缙云专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王翔

摘要

本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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