一种二维硅基的光子晶体慢光波导装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201310011916.2
IPC分类号：G02F1/365;G02F1/355;G02B6/122
申请日期：
2013-01-11
申请人：
青岛大学

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专利名称	一种二维硅基的光子晶体慢光波导装置
申请号	CN201310011916.2	申请日期	2013-01-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-17	公开/公告号	CN103048845A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/365 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/35 非线性光学〔2，5〕 G02F1/365 在光波导结构中的（G02F 1/377优先）〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;3;6;5;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5;;;G;0;2;B;6;/;1;2;2查看分类表>
申请人	青岛大学	申请人地址	山东省青岛市崂山区香港东路7号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛大学	当前权利人	青岛大学
发明人	万勇;潘淑娣;郭月
代理机构	青岛高晓专利事务所	代理人	张世功

摘要

本发明属于光学技术领域，涉及一种二维硅基的光子晶体慢光波导装置，在二维硅片的表面上沿硅片长边的方向顺序排列挖制以二维硅片中心线为对称轴的圆弓形散射元，在二维硅片的对称轴上留有一排不挖圆弓形散射元而构成线缺陷；每排圆弓形散射元上等间隔挖制5-30个圆弓形散射元；圆弓形散射元为两个半圆缺对合构成，二维硅片上分别顺序排列挖空式制有的通透状的圆弓形散射元为对称结构；线缺陷的方向与圆弓形散射元的长轴方向平行；圆弓形散射元的排列结构固定；无需复杂庞大的系统，具有体积小、成本低、稳定性高、效率高和简单易行的特点，群折射率高，慢光带宽大，信号保真好，是一种新型的光子晶体慢光结构。

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