接合的三维存储器器件及其通过用源极层替换承载衬底的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980078807.8
IPC分类号：H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11573;H01L27/11565;H01L27/11582;H01L29/792;H01L29/66
申请日期：
2019-11-22
申请人：
桑迪士克科技有限责任公司

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专利名称	接合的三维存储器器件及其通过用源极层替换承载衬底的制造方法
申请号	CN201980078807.8	申请日期	2019-11-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-23	公开/公告号	CN113169182A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/1157 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11578）〔2017.01〕 H01L27/1157 具有单元选择晶体管的，例如，NAND〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6查看分类表>
申请人	桑迪士克科技有限责任公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桑迪士克科技有限责任公司	当前权利人	桑迪士克科技有限责任公司
发明人	J·凯;卢庆煌;M·乔杜里;J·阿尔斯迈耶
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	邱军

摘要

本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件可包括形成在承载衬底上方的绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。间隔物材料层形成为导电层，或者随后被该导电层替换。存储器堆叠结构穿过交替堆叠形成。每个存储器堆叠结构包括相应的竖直半导体沟道和相应的存储器膜。漏极区和位线可形成在存储器堆叠结构上方以提供存储器管芯。存储器管芯可接合到逻辑管芯，该逻辑管芯包含用于支持存储器管芯内的存储器单元的操作的外围电路。通过移除承载衬底来物理地暴露竖直半导体沟道中的每个竖直半导体沟道的远侧端部。源极层直接形成在竖直半导体沟道中的每个竖直半导体沟道的远侧端部上。可在源极层上形成接合焊盘。

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