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半导体器件及其制造和使用方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310149244.1
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/64;H01L21/60
申请日期：
2013-04-26
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造和使用方法
申请号	CN201310149244.1	申请日期	2013-04-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-10-30	公开/公告号	CN103378036A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	U.基尔希纳;R.奥特伦巴;M.赛布特
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马永利;刘春元

摘要

本发明公开了半导体器件及其制造和使用方法。一种半导体器件包括至少一个第一半导体元件以及用于把所述至少一个第一半导体元件电耦合到外部的两个互连器。所述两个互连器之间的间隔对应于第二半导体元件的尺寸。第二半导体元件可以被固定在所述两个互连器之间。

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