一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410215742.6
IPC分类号：H02S50/10
申请日期：
2014-05-21
申请人：
常州天合光能有限公司

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著录项信息

专利名称	一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法
申请号	CN201410215742.6	申请日期	2014-05-21
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-30	公开/公告号	CN103956974A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02S50/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02S 由红外线辐射、可见光或紫外光转换产生电能，如使用光伏（PV）模块（从放射性源获取电能入G21H 1/12；无机光敏半导体器件入H01L 31/00；热电器件入H01L35/00，H01L 37/00；有机光敏半导体器件入H01L 51/42）〔2014.01〕 H02S50/00 光伏系统的监测或测试，如负载平衡或故障识别〔2014.01〕 H02S50/10 光伏装置的测试，如光伏模块或单个光伏电池（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66）〔2014.01〕	IPC分类号	H;0;2;S;5;0;/;1;0查看分类表>
申请人	常州天合光能有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天合光能股份有限公司,天合光能有限公司	当前权利人	天合光能股份有限公司,天合光能有限公司
发明人	肖娅;陈红;高传楼;彭义富
代理机构	常州市科谊专利代理事务所	代理人	孙彬

摘要

本发明公开了一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法，该方法的步骤如下：a)取抗PID半成品电池片；b)将去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上；c)将经过步骤b)处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状；d)通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格：当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格；当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。本发明能够缩短判定电池片是否具有基本的抗PID能力的时间。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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